Semi-conducteurs. Page 359 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: STP9NB60 à STR-A6052 (Page 359 sur 485)

Transistor STP9NB60

18.26€ TTC

3 En stock

Transistor STP9NB60 N-MOS 600V 9A 125W <0.8R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NC60

7.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STP9NC60 N-MOS 600V 9A 125W <0.6R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK50Z

8.34€ TTC

79 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 7.2A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 7.2A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.72 Ohms. Zéner-Protected SuperMESH MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK50ZFP

4.48€ TTC

129 En stock

Transistor STP9NK50ZFP N-MOS+D 500V 7.2A 30W 0.72R(4.5A). Zéner-Protected SuperMESH MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.2 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK60Z

5.94€ TTC

25 En stock

Transistor STP9NK60Z N-MOS+D 600V 7A 125W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK60ZFP

5.32€ TTC

43 En stock

Transistor STP9NK60ZFP N-MOS+D 600V 7A 30W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Tarifs dégressifs

Transistor STP9NK90Z

10.14€ TTC

24 En stock

Transistor STP9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Tarifs dégressifs

Diode STPR1020CT

3.25€ TTC

127 En stock

Double diode silicium 200V 2x5A. Trr<20-30ns. Boîtier TO-220. Cathode commune. ULTRA FAST.

Tarifs dégressifs

Diode STPR1620CT

3.81€ TTC

93 En stock

Double diode silicium 200V 2x8A. Trr<30ns. Boîtier TO-220. Cathode commune. ULTRA FAST.

Tarifs dégressifs

Diode STPS20H100CFP

9.80€ TTC

46 En stock

Double diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2x10A. Double diode à cathode commune. Boîtier: TO-220FP. Température de fonctionnement: -65°C à +175°C. Isolation Voltage: 2000Vdc. Capacité: 45pF.

Tarifs dégressifs

Diode STPS20H100CT

4.54€ TTC

30 En stock

Double diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2x10A. Double diode à cathode commune. Boîtier: TO-220AB. Température de fonctionnement: -65°C à +175°C.

Tarifs dégressifs

Diode STPS2H100

1.96€ TTC

270 En stock

Diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2A. Tension de seuil<0.7V. Boîtier: DO-41.

Tarifs dégressifs

Diode STPS2L30A

1.23€ TTC

4845 En stock

Diode Schottky CMS 30V 2A/75Ap. Constructeur: ST Microelectronics. Code constructeur: STPS2L30A. Marquage boîtier: G30. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: DO-214. Boîtier: SMA DO-214AA (4.6x2.9mm). Vrrm: 30V. Courant d'alimentation(AV): 2A. Tension de seuil min: 0.325V. Tension de seuil maxi: 0.43V. IRM (min): 200 uA. IRM (max): 15mA. Pl

Tarifs dégressifs

Diode STPS2L40U

1.57€ TTC

67 En stock

Diode CMS Schottky 40V. Courant maxi: 2A. Marquage CMS: GD4. Boîtier: SMB DO-214AA (4.6x3.95mm).

Tarifs dégressifs

Double diode Schottky STPS3045CT

4.48€ TTC

142 En stock

Double diode Schottky 45V 2x15A. Cathode commune

Tarifs dégressifs

Diode STPS5H100B

4.20€ TTC

72 En stock

Diode CMS de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 5A. Tension de seuil: 0.61V. Boîtier: TO-252A (Dpak).

Tarifs dégressifs

Diode STPS5L40

3.19€ TTC

18 En stock

Diode de redressement Schottky 40V. Courant maxi: 5A. Tension de seuil: 0.4V. Boîtier: DO-201AD.

Tarifs dégressifs

Diode STPS60170CT

11.37€ TTC

49 En stock

Double diode de redressement Schottky 170V 2x30A Vf:0.97V. Constructeur: ST Microelectronics. Montage traversant. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO-220AB. Courant d'alimentation(AV) 30A/diode. 60A/total. Vrrm: 170V. Tension de seuil min: 0.97V. Tension de seuil maxi: 1.05V. Organisation: Cathode commune. Plage de température: -65°C à +175°

Tarifs dégressifs

Diode STPS8H100D

4.03€ TTC

62 En stock

Diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 8A. Tension de seuil<0.56V. Boîtier: TO-220AC.

Tarifs dégressifs

Transistor STQ1NK60ZR-AP

2.69€ TTC

1932 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 0.3A. Référence d'origine constructeur: STQ1NK60ZR-AP. Marquage boîtier: 1NK60ZR. Boîtier: TO-92. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 0.3A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 13 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-protected.

Tarifs dégressifs

Circuit régulateur de tension à découpage STR-A6052

41.61€ TTC

15 En stock

Circuit régulateur de tension à découpage STR-A6052. Current Mode Control Pwm Regulator Ic

Tarifs dégressifs

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Transistor STP9NB60

Transistor STP9NB60 N-MOS 600V 9A 125W <0.8R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 125 W

Transistor STP9NC60

Transistor STP9NC60 N-MOS 600V 9A 125W <0.6R(5.7A). PowerMESH. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 125 W

Transistor STP9NK50Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 7.2A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 7.2A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.72 Ohms. Zéner-Protected SuperMESH MOSFET.

Transistor STP9NK50ZFP

Transistor STP9NK50ZFP N-MOS+D 500V 7.2A 30W 0.72R(4.5A). Zéner-Protected SuperMESH MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.2 A.

Transistor STP9NK60Z

Transistor STP9NK60Z N-MOS+D 600V 7A 125W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Transistor STP9NK60ZFP

Transistor STP9NK60ZFP N-MOS+D 600V 7A 30W 0.85R(4.4A). Zéner-Protected SuperMESH Power MOSFET. HIGH CURRENT. HIGH SPEED SWITCHING. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A.

Transistor STP9NK90Z

Transistor STP9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220A. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Diode STPR1020CT

Double diode silicium 200V 2x5A. Trr<20-30ns. Boîtier TO-220. Cathode commune. ULTRA FAST.

Diode STPR1620CT

Double diode silicium 200V 2x8A. Trr<30ns. Boîtier TO-220. Cathode commune. ULTRA FAST.

Diode STPS20H100CFP

Double diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2x10A. Double diode à cathode commune. Boîtier: TO-220FP. Température de fonctionnement: -65°C à +175°C. Isolation Voltage: 2000Vdc. Capacité: 45pF.

Diode STPS20H100CT

Double diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2x10A. Double diode à cathode commune. Boîtier: TO-220AB. Température de fonctionnement: -65°C à +175°C.

Diode STPS2H100

Diode de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 2A. Tension de seuil<0.7V. Boîtier: DO-41.

Diode STPS2L30A

Diode STPS2L40U

Diode CMS Schottky 40V. Courant maxi: 2A. Marquage CMS: GD4. Boîtier: SMB DO-214AA (4.6x3.95mm).

Double diode Schottky STPS3045CT

Double diode Schottky 45V 2x15A. Cathode commune

Diode STPS5H100B

Diode CMS de redressement Schottky 100V. Courant maxi: 5A. Tension de seuil: 0.61V. Boîtier: TO-252A (Dpak).

Diode STPS5L40

Diode de redressement Schottky 40V. Courant maxi: 5A. Tension de seuil: 0.4V. Boîtier: DO-201AD.

Diode STPS60170CT

Diode STPS8H100D

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Transistor STQ1NK60ZR-AP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 0.3A. Référence d'origine constructeur: STQ1NK60ZR-AP. Marquage boîtier: 1NK60ZR. Boîtier: TO-92. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 0.3A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 13 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-protected.

Circuit régulateur de tension à découpage STR-A6052

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